手機不再怕沒電，美國研發「用衣服發電」| Few-layer ​molybdenum disulfide transistors and circuits for high-speed flexible electronics

衣服將也能成為手機的電能來源

手機不再怕沒電，美國研發「用衣服發電」

美國哥倫比亞大學與喬治亞理工學院首度證明二維材料二硫化鉬（molybdenum disulfide）能產生壓電效應。這表示，我們將可從褲子幫手機充電，從衣服為智慧型手錶供電。

英國「每日郵報」（Daily Mail）報導，研究人員發現一種全新方法，可用薄如原子的發電機產生電力。

這種材料可在彎曲或拉長時產生電力，研究人員表示，這種材料可以縫入服飾，甚至用在醫療移植。

哥倫比亞大學工學院（Columbia Engineering）與喬治亞理工學院（Georgia Institute of Technology）團隊表示，二硫化鉬可用在穿戴科技。

哥大機械工程系教授兼研究共同領導人洪恩（James Hone）說：「這種材料只有一層原子那麼薄，可用來當作穿戴裝置，也許可嵌入服飾，將人體運動能量轉變成電力，為穿戴感應器或醫療裝置提供動能，也許還能供應足夠電力幫口袋的手機充電。」

這兩個機構的研究團體在15日發布於「自然」（Nature）期刊的論文中證明，可依據機械原理從二維材料二硫化鉬發電。

這些材質產生的壓電效應，之前理論上預測可行。

壓電效果是一種眾所周知的效果，當拉扯或壓縮一種材質時，可讓這種材質生電；反之，將電施用於一種物質時，會讓材料擴張或縮小。

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Few-layer ​molybdenum disulfide transistors and circuits for high-speed flexible electronics

Two-dimensional layered materials, such as ​molybdenum disulfide, are emerging as an exciting material system for future electronics due to their unique electronic properties and atomically thin geometry. Here we report a systematic investigation of ​MoS2 transistors with optimized contact and device geometry, to achieve self-aligned devices with performance including an intrinsic gain over 30, an intrinsic cut-off frequency fT up to 42 GHz and a maximum oscillation frequency fMAX up to 50 GHz, exceeding the reported values for ​MoS2 transistors to date (fT~0.9 GHz, fMAX~1 GHz). Our results show that logic inverters or radio frequency amplifiers can be formed by integrating multiple ​MoS2 transistors on quartz or flexible substrates with voltage gain in the gigahertz regime. This study demonstrates the potential of two-dimensional layered semiconductors for high-speed flexible electronics.

資訊來源 Source: Nature.com