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| 衣服將也能成為手機的電能來源 |
手機不再怕沒電，美國研發「用衣服發電」
美國哥倫比亞大學與喬治亞理工學院首度證明二維材料二硫化鉬（molybdenum disulfide）能產生壓電效應。這表示，我們將可從褲子幫手機充電，從衣服為智慧型手錶供電。英國「每日郵報」（Daily Mail）報導，研究人員發現一種全新方法，可用薄如原子的發電機產生電力。
這種材料可在彎曲或拉長時產生電力，研究人員表示，這種材料可以縫入服飾，甚至用在醫療移植。
哥倫比亞大學工學院（Columbia Engineering）與喬治亞理工學院（Georgia Institute of Technology）團隊表示，二硫化鉬可用在穿戴科技。
哥大機械工程系教授兼研究共同領導人洪恩（James Hone）說：「這種材料只有一層原子那麼薄，可用來當作穿戴裝置，也許可嵌入服飾，將人體運動能量轉變成電力，為穿戴感應器或醫療裝置提供動能，也許還能供應足夠電力幫口袋的手機充電。」
這兩個機構的研究團體在15日發布於「自然」（Nature）期刊的論文中證明，可依據機械原理從二維材料二硫化鉬發電。
這些材質產生的壓電效應，之前理論上預測可行。
壓電效果是一種眾所周知的效果，當拉扯或壓縮一種材質時，可讓這種材質生電；反之，將電施用於一種物質時，會讓材料擴張或縮小。
Few-layer molybdenum disulfide transistors and circuits for high-speed flexible electronics
Two-dimensional layered materials, such as molybdenum disulfide, are emerging as an exciting material system for future electronics due to their unique electronic properties and atomically thin geometry. Here we report a systematic investigation of MoS2 transistors with optimized contact and device geometry, to achieve self-aligned devices with performance including an intrinsic gain over 30, an intrinsic cut-off frequency fT up to 42 GHz and a maximum oscillation frequency fMAX up to 50 GHz, exceeding the reported values for MoS2 transistors to date (fT~0.9 GHz, fMAX~1 GHz). Our results show that logic inverters or radio frequency amplifiers can be formed by integrating multiple MoS2 transistors on quartz or flexible substrates with voltage gain in the gigahertz regime. This study demonstrates the potential of two-dimensional layered semiconductors for high-speed flexible electronics.
資訊來源 Source: Nature.com
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